Если верить учёным из International Business Machines (IBM), компьютерный мир ожидают существенные перемены. А всё благодаря разработанной новой технологии компьютерной памяти, которая основывается на изменении фазового сдвига и получила название РСМ. Сфера применения будущей памяти, которая по уверениям спецов из IBM уже в скором времени вытеснит популярную нынче флеш-память, практически неограниченна. От простеньких телефонов до гигантских серверов корпораций, при этом произойти эта революция может уже в ближайшие пять лет. Технология базируется на специальном сплаве, который способен менять свои физические свойства под воздействием электрического заряда.


Первоначально сплав не отличался особой надёжностью, при считывании частенько возникали ошибки. При этом каждая ячейка, как и флеш-память, могла хранить только один бит информации. Однако со временем учёным удалось преодолеть все трудности и полученный результат превзошёл даже самые смелые ожидания. Для начала, в одной ячейке памяти по технологии РСМ удалось поместить 4 бита информации. Экспериментальный 90-нм образец чипа, в котором поместилось 200 тысяч ячеек, смог в течение 5 месяцев сохранить без искажения информацию, не подпитываясь при этом дополнительно электроэнергией. Показатели надёжности впечатляют – если в ныне привычной флеш-памяти одна ячейка выдерживает до 30 тысяч циклов перезаписи, то в перспективной РСМ это число составит около 10 миллионов.


Кроме того, и сам процесс перезаписи в РСМ проходит почти в 100 раз быстрее, чем в нынешних накопителях. В настоящее время учёные из IBM активно занимаются созданием технологи для промышленного производства памяти на новых физических свойствах. Цена вопроса – несколько миллиардов долларов, но даже по самым скромным подсчётам технология способна окупить себя в течение нескольких лет.