Если верить учёным из International Business Machines (IBM), компьютерный мир ожидают существенные перемены. А всё благодаря разработанной новой технологии компьютерной памяти, которая основывается на изменении фазового сдвига и получила название РСМ. Сфера применения будущей памяти, которая по уверениям спецов из IBM уже в скором времени вытеснит популярную нынче флеш-память, практически неограниченна. От простеньких телефонов до гигантских серверов корпораций, при этом произойти эта революция может уже в ближайшие пять лет. Технология базируется на специальном сплаве, который способен менять свои физические свойства под воздействием электрического заряда.
![b_480818.jpg b_480818.jpg](/upload/medialibrary/1c8/1c86bd775758576e6939ec38b8752049.jpg)
Первоначально сплав не отличался особой надёжностью, при считывании частенько возникали ошибки. При этом каждая ячейка, как и флеш-память, могла хранить только один бит информации. Однако со временем учёным удалось преодолеть все трудности и полученный результат превзошёл даже самые смелые ожидания. Для начала, в одной ячейке памяти по технологии РСМ удалось поместить 4 бита информации. Экспериментальный 90-нм образец чипа, в котором поместилось 200 тысяч ячеек, смог в течение 5 месяцев сохранить без искажения информацию, не подпитываясь при этом дополнительно электроэнергией. Показатели надёжности впечатляют – если в ныне привычной флеш-памяти одна ячейка выдерживает до 30 тысяч циклов перезаписи, то в перспективной РСМ это число составит около 10 миллионов.
![ibm-pcm-memory.jpg ibm-pcm-memory.jpg](/upload/medialibrary/d3e/d3e529022da50de31c7057c69846de05.jpg)
Кроме того, и сам процесс перезаписи в РСМ проходит почти в 100 раз быстрее, чем в нынешних накопителях. В настоящее время учёные из IBM активно занимаются созданием технологи для промышленного производства памяти на новых физических свойствах. Цена вопроса – несколько миллиардов долларов, но даже по самым скромным подсчётам технология способна окупить себя в течение нескольких лет.